半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)深度研究：光刻機(jī)、薄膜沉積、刻蝕機(jī)、清洗等
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（報(bào)告出品方/作者：方正證券，陳杭、胡園園）
1 半導(dǎo)體前道設(shè)備詳解
光刻機(jī)：半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠
光刻機(jī)是光刻工藝的核心設(shè)備，也是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，包含上萬(wàn) 個(gè)零部件，集合了數(shù)學(xué)、光學(xué)、流體力學(xué)、高分子物理與化學(xué)、表面物理與化學(xué)、精密儀器 、機(jī)械、自動(dòng)化、軟件、圖像識(shí)別領(lǐng)域等多項(xiàng)頂尖技術(shù)。
作為整個(gè)芯片工業(yè)制造中必不可少的精密設(shè)備——光刻機(jī)，其光刻的工藝水平直接決定芯片 的制程和性能水平，因此光刻機(jī)更是被譽(yù)為半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠。
光刻機(jī)：發(fā)展歷程
ASML成立于1984年，當(dāng)時(shí)正是日本半導(dǎo)體如日中天的時(shí)代。日本半導(dǎo)體的成功背后，是尼康 和佳能兩大光學(xué)巨頭的光刻設(shè)備，以及東京電子、日立、迪恩士等一系列配套廠商的支持。
1994年ASML的市場(chǎng)份額只有18%，但設(shè)計(jì)超前的8英寸PAS5500以及1995年IPO給ASML帶 來了機(jī)遇。臺(tái)積電、三星和現(xiàn)代（后來的Hynix）率先決定幾乎全部改用ASML的機(jī)器，而1995 年?yáng)|芝、西門子和IBM聯(lián)盟考慮到和佳能的合作，開始沒有選擇ASML。
最后的結(jié)局是：堅(jiān)持尼康佳能的日系半導(dǎo)體廠商真正開始了長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年的衰敗，而押寶ASML的 三大東亞廠商迅速崛起直到今天稱霸。
ASML最先進(jìn)的浸沒式光刻系統(tǒng)：DUV——全球工藝集大成者
TWINSCAN NXT:2000i DUV（雙工作臺(tái)深紫外光刻機(jī)）是ASML最先進(jìn)的浸沒式光刻系統(tǒng) ，是極紫外光刻機(jī)EUV前的重要過渡產(chǎn)品，也是后期7nm/5nm產(chǎn)能的重要補(bǔ)充。
光刻機(jī)：量?jī)r(jià)齊升
受益于下游需求旺盛，光刻設(shè)備有望量?jī)r(jià)齊升帶動(dòng)市場(chǎng)空間不斷增長(zhǎng)。
價(jià)：隨著芯片制程的不斷升級(jí)，IC前道光刻機(jī)制造日益復(fù)雜，其價(jià)格不斷攀升。先進(jìn)制程發(fā) 展使得晶體管成本降低，但是光刻機(jī)價(jià)格不斷增高。2018年7nm EUV光刻機(jī)平均每臺(tái)價(jià)格 達(dá)到了1.2億歐元。
量：晶圓尺寸變大和制程縮小將使產(chǎn)線所需的設(shè)備數(shù)量加大，性能要求變高。12寸晶圓產(chǎn)線 中所需的光刻機(jī)數(shù)量相較于8寸晶圓產(chǎn)線將進(jìn)一步上升。同時(shí)預(yù)計(jì)2020年隨著半導(dǎo)體產(chǎn)線得 到持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，光刻機(jī)需求也將進(jìn)一步加大。
涂膠顯影：涂膠+烘烤+顯影
涂膠顯影設(shè)備包括涂膠機(jī)、噴膠機(jī)、顯影機(jī)，是光刻工序中與光刻機(jī)配套使用的設(shè)備，是集 成電路制造的核心設(shè)備。涂膠顯影設(shè)備可以應(yīng)用于集成電路制造前道晶圓加工領(lǐng)域，以及后 道先進(jìn)封裝領(lǐng)域，其中，應(yīng)用于集成電路制造前道晶圓加工環(huán)節(jié)的前道涂膠顯影設(shè)備更多， 市場(chǎng)份額占比更大。
涂膠顯影設(shè)備主要由涂膠、顯影、烘烤三大系統(tǒng)組成，通過圓片傳遞機(jī)械手，使圓片在各系 統(tǒng)之間傳輸和處理，完成圓片的光刻膠涂覆、固化、光刻、顯影、堅(jiān)膜的工藝過程。
早期或較低端集成電路工藝中，主要使用獨(dú)立機(jī)臺(tái)（Off-line），隨著集成電路工藝的提升， 目前200mm及以上的生產(chǎn)線大多采用與光刻機(jī)聯(lián)機(jī)的設(shè)備（In-line），與光刻機(jī)配合工作。
涂膠顯影：25億美金市場(chǎng)空間，東京電子壟斷90%
據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球前道涂膠顯影設(shè)備銷售額由2013年的14.07億美元增長(zhǎng)至2018年的23.26億美 元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)10.58%，預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模約24.76億美元。
全球涂膠顯影設(shè)備被日本東京電子高度壟斷，其全球市占率近90%；其余主要廠商還有日本 SCREEN、中國(guó)臺(tái)灣億力鑫、德國(guó)蘇斯微、韓國(guó)CND等。中國(guó)本土涂膠顯影設(shè)備生產(chǎn)企業(yè) 主要為芯源微，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中的份額占比為4%左右。據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)大區(qū)（含中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)） 2018年前道涂膠顯影設(shè)備規(guī)模8.96億美元，預(yù)計(jì)2023年將達(dá)到10.26億美元。
刻蝕工藝：90%以上為干法刻蝕
刻蝕是利用化學(xué)或者物理的方法將晶圓表面附著的不必要的材質(zhì)進(jìn)行去除的過程?？涛g工藝 可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。目前應(yīng)用主要以干法刻蝕為主，市場(chǎng)占比90%以上。濕法刻蝕 在小尺寸及復(fù)雜結(jié)構(gòu)應(yīng)用中具有局限性，目前主要用于干法刻蝕后殘留物的清洗。
刻蝕設(shè)備：微縮化+3D化，推動(dòng)刻蝕用量增加
先進(jìn)制程以多重模板工藝為依托從而實(shí)現(xiàn)更小微觀尺寸，凸顯刻蝕設(shè)備重要性。由于波長(zhǎng) 限制，14納米及以下邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工無法通過光刻機(jī)來實(shí)現(xiàn)，必須依靠多重模板 技術(shù)，進(jìn)一步提升刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性和需求量。
NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代，采用縮小單層上線寬和增加堆疊層數(shù)的方法來增加集成度， 要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比?？涛g技術(shù)需要在氧化硅和氮化硅一對(duì)的疊層結(jié)構(gòu)上，加 工40:1到60:1的極深孔或極深的溝槽。目前，3D96層與128層閃存均已進(jìn)入量產(chǎn)階段。從 2D NAND過渡到3D NAND，刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升，從20%提高至50%。
刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局：日美廠商頭部集中、中國(guó)廠商崛起
全球市場(chǎng)行業(yè)集中度高，技術(shù)壁壘顯著。全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)長(zhǎng)期一直被泛林半導(dǎo)體、東京電 子、應(yīng)用材料三大巨頭占據(jù)，2019年合計(jì)市場(chǎng)占比約90%，行業(yè)集中度高。2019年，細(xì)分 介質(zhì)刻蝕機(jī)市場(chǎng)中，東京電子處于領(lǐng)先地位，市占率達(dá)到52%，國(guó)內(nèi)中微公司市占率也已 達(dá)到3%。
國(guó)內(nèi)刻蝕機(jī)市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)廠商表現(xiàn)亮眼。泛林半導(dǎo)體依舊在國(guó)內(nèi)刻蝕機(jī)市場(chǎng)中保持領(lǐng)先地位 ，2019年市占率52%；而國(guó)產(chǎn)廠商中，中微公司已占據(jù)20%市場(chǎng)份額，排名第二，北方華 創(chuàng)則占據(jù)6%市場(chǎng)份額；中微領(lǐng)軍國(guó)內(nèi)介質(zhì)刻蝕，北方華創(chuàng)則領(lǐng)軍國(guó)內(nèi)硅刻蝕。（報(bào)告來源：未來智庫(kù)）
沉積設(shè)備：CVD應(yīng)用逐步增加
薄膜沉積工藝中由于CVD技術(shù)路線較多，具有較好的孔隙填充和膜厚控制能力，CVD在金 屬沉積方面的應(yīng)用正在增加。
沉積設(shè)備：線寬微縮+結(jié)構(gòu)3D化，催生成倍需求
邏輯芯片：摩爾定律下需要采用多重曝光工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小線寬 ，由此帶動(dòng)薄膜沉積設(shè)備需求成倍增加。對(duì)比中芯國(guó)際180nm和90nm產(chǎn)線設(shè)備用量，PVD和 CVD需求均增長(zhǎng)近4-5倍。
存儲(chǔ)芯片：NAND 制造工藝從2D向3D轉(zhuǎn)化，堆疊層數(shù)也從32/64層向128/196層發(fā)展，產(chǎn)品 結(jié)構(gòu)和層數(shù)的復(fù)雜化同樣催生更多薄膜沉積設(shè)備需求。
離子注入：較小制程下的摻雜方法
摻雜是把雜質(zhì)引入半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)中，以改變它的電學(xué)性能。硼、磷、砷、銻是半導(dǎo) 體制造中最常見的四種雜質(zhì)。
摻雜的原因有很多，例如硼和磷雜質(zhì)擴(kuò)形成硅器件的多數(shù)載流子，形成硅片的導(dǎo)電層，也可 以改變材料的性能，摻雜還可以提高多晶硅柵電極的電導(dǎo)率。
在晶片制造中，有兩種方法可以引入雜質(zhì)元素，即熱擴(kuò)散和離子注入，隨著特征尺寸的不斷 減小，現(xiàn)代晶片制造幾乎所有摻雜工藝都是用離子注入實(shí)現(xiàn)的。
熱處理設(shè)備市場(chǎng)：氧化/擴(kuò)散爐遠(yuǎn)期市場(chǎng)規(guī)模7.1億美元
近年來，半導(dǎo)體熱處理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模保持平穩(wěn)增長(zhǎng)。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2020年全球熱處 理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模合計(jì)15.37億美元，其中氧化/擴(kuò)散設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約5.52億美元。
下游對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)品性能需求的不斷提升，將對(duì)上游熱處理設(shè)備市場(chǎng)產(chǎn)生拉動(dòng)效應(yīng)，在此趨 勢(shì)下，熱處理設(shè)備預(yù)計(jì)將獲得更大的發(fā)展空間，2025年熱處理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到19.91 億美元，氧化/擴(kuò)散設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到7.10億美元。
清洗工藝：干法清洗 VS 濕法清洗
清洗工藝 ：主要用于去除芯片制造中上一道工序所遺留的超微細(xì)顆粒污染物、金屬殘留、 有機(jī)物殘留物，去除光阻掩膜或殘留，也可根據(jù)需要進(jìn)行硅氧化膜、氮化硅或金屬等薄膜 材料的濕法腐蝕，為下一步工序準(zhǔn)備好良好的表面條件。
清洗設(shè)備需求：遠(yuǎn)期41億美元全球空間
根據(jù)Gartner 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為34.17億美元，2019和 2020年受全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下行的影響，有所下降，分別為31.7和33.4億美元，隨 著全球半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇，全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)將呈逐年增長(zhǎng)的趨勢(shì)，2025年預(yù)計(jì)全 球半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)將達(dá)到40.7億美元。
CMP拋光工藝：耗材成本占比68%
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體集成電路 制造前道工序和先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的必備環(huán)節(jié)， 指用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過程中的硅晶 圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。
CMP工藝的原理是將機(jī)械力作用于圓片表 面，同時(shí)由拋光液中的化學(xué)物質(zhì)與圓片表面 材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來增加其拋光速率。
CMP市場(chǎng)主要分為設(shè)備和耗材（拋光液、 拋光墊），其中CMP耗材占接近68%， CMP設(shè)備為32%。
檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備：2022年中國(guó)檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模近34億美金
半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備是芯片良率控制的關(guān)鍵，分為（1）前道量測(cè)設(shè)備（工藝流程控制設(shè)備）和 （2）后道測(cè)試設(shè)備（自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備ATE）。前道量測(cè)設(shè)備主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是 檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷， 屬于物理性的檢測(cè)；后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查 芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。
2 半導(dǎo)體設(shè)備需求拆解
臺(tái)積電：22年將是強(qiáng)勁增長(zhǎng)的年份
臺(tái)積電2021年資本支出300億美元，22年資本支出將達(dá)到400-440億美元，其中大部分（70~80%）將 集中于先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品線，涵蓋了 7nm、5nm、3nm 和 2nm 芯片制造工藝。
公司預(yù)計(jì)2022年將是又一個(gè)強(qiáng)勁增長(zhǎng)的年份。對(duì)于2022全年，臺(tái)積電預(yù)計(jì)整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)約9%， 代工行業(yè)的增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將接近20%，公司將有信心跑贏代工行業(yè)20％的增速。
中芯國(guó)際：半導(dǎo)體行業(yè)仍然供大于求
中芯國(guó)際2021年資本支出45億美元，22年資本支出預(yù)計(jì)將達(dá)到50億美元。
公司表示半導(dǎo)體行業(yè)仍處于供大于求的狀態(tài)，部分應(yīng)用領(lǐng)域整體需求增速放緩，產(chǎn)能全面短 缺逐步向安全性、結(jié)構(gòu)性短缺轉(zhuǎn)變。
華虹半導(dǎo)體：22年的需求依舊十分強(qiáng)勁
公司2021年資本開支9.39億美元，21Q4產(chǎn)能利用率超100%。
擴(kuò)產(chǎn)方面，公司從2021年年中開始實(shí)施94.5K的擴(kuò)產(chǎn)，首臺(tái)設(shè)備預(yù)計(jì)2022年3月份搬入，2022年底之前， 預(yù)計(jì)95%以上的設(shè)備可以投入使用。隨著設(shè)備的搬入、調(diào)試的完成，公司將在2022年底實(shí)現(xiàn)94.5K的產(chǎn) 能。
設(shè)備投資成本：28nm約8億美元/萬(wàn)片
先進(jìn)制程投資成本高，研發(fā)進(jìn)程緩，成熟制程在成本控制方面更具優(yōu)勢(shì)。根據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)，隨 著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，集成電路制造的設(shè)備投入呈大幅上升的趨勢(shì)。以5納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)為 例，其投資成本高達(dá)數(shù)百億美元，是14納米的兩倍以上，28納米的四倍左右。格羅方德和 聯(lián)電均已宣布暫緩10nm以下制程的研發(fā)。
中芯京城：76億美元擴(kuò)產(chǎn)10萬(wàn)片/月
中芯京城項(xiàng)目，總投資76億美元，分兩期建設(shè)。一期計(jì)劃于2024年完工，建成后將達(dá)成每 月約10萬(wàn)片12吋晶圓產(chǎn)能。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)：20萬(wàn)片/月產(chǎn)能待擴(kuò)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖 北省集成電路產(chǎn)業(yè)基金共同投資建設(shè)。
此項(xiàng)目規(guī)劃共投資約1697億元，分兩期建設(shè)3D NAND Flash芯片工廠，兩期達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能30 萬(wàn)片/月。
華潤(rùn)微：重慶擴(kuò)產(chǎn)12吋晶圓
華潤(rùn)微與大基金二期聯(lián)手，預(yù)計(jì)投75.5億元擴(kuò)產(chǎn)晶圓；建成后預(yù)計(jì)將形成月產(chǎn)3萬(wàn)片12吋中 高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力，并配套建設(shè)12吋外延及薄片工藝能力。
士蘭微：8吋、12吋二期待擴(kuò)
8吋：2019年，公司公告擬投資15億元啟動(dòng)8吋二期擴(kuò)產(chǎn)，計(jì)劃新增年產(chǎn)能43.2萬(wàn)片，即3.6 萬(wàn)片/月；2020年底，士蘭微實(shí)現(xiàn)8吋產(chǎn)能6萬(wàn)片/月。
12吋：士蘭微12吋產(chǎn)線一期于2020年底正式投產(chǎn)，月產(chǎn)能4萬(wàn)片/月，現(xiàn)處于爬坡中。2021 年5月，公司公告啟動(dòng)12吋二期建設(shè)，預(yù)計(jì)新增年產(chǎn)24萬(wàn)片高壓集成電路和功率器件芯片。
第三代半導(dǎo)體 ：2020年694億元投資
據(jù)CASA Research統(tǒng)計(jì)，2020年共有24筆第三代半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目， 披露的投資擴(kuò)產(chǎn)金額達(dá)到694億元， 較2019年同比增長(zhǎng)161%；其中， SiC涉及金額550億元，GaN涉及金 額144億元。
全球產(chǎn)能分布：中國(guó)大陸聚焦28納米以上成熟制程
根據(jù)2020年全球各地區(qū)晶圓產(chǎn)能按制程拆分來看，受臺(tái)積電和三星驅(qū)動(dòng)，全球10納米以下 產(chǎn)能主要位于中國(guó)臺(tái)灣及韓國(guó)，其中中國(guó)臺(tái)灣產(chǎn)能占比90%以上。
美國(guó)產(chǎn)能則主要集中在10納米到22納米。中國(guó)大陸在28nm以上制程的占比最高，其中在28 納米-45納米已經(jīng)成為全球僅次于中國(guó)臺(tái)灣的第二大產(chǎn)能供給地。
競(jìng)爭(zhēng)形勢(shì)嚴(yán)峻，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。
各國(guó)政府積極向有芯片制造能力的廠商拋出橄欖枝，鼓勵(lì)廠商在本土設(shè)廠，如2020年臺(tái)積電 在美國(guó)支持下決定赴美投資120億美元生產(chǎn)世界最先進(jìn)的5納米芯片。臺(tái)積電、三星電子規(guī)劃 在美國(guó)建設(shè)新的晶圓代工廠，爭(zhēng)奪美國(guó)300多億美元的政府補(bǔ)貼。
3 半導(dǎo)體設(shè)備大廠復(fù)盤
中外對(duì)比：產(chǎn)品線對(duì)比
行業(yè)三大龍頭企業(yè)產(chǎn) 品線主要集中在半導(dǎo) 體設(shè)備和FPD設(shè)備，涵 蓋的工藝技術(shù)較為全 面。其中泛林半導(dǎo)體 只經(jīng)營(yíng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)， 東京電子和應(yīng)用材料 還涉及顯示器設(shè)備。
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)目前具 備的技術(shù)種類略少于 行業(yè)龍頭企業(yè)。中微 公司主要聚焦刻蝕產(chǎn) 品和MOCVD設(shè)備；北 方華創(chuàng)涵蓋的業(yè)務(wù)相 對(duì)更多，除半導(dǎo)體業(yè) 務(wù)外，還涉及真空光 伏設(shè)備與新能源鋰電 設(shè)備。
全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商：兼收并購(gòu)助力企業(yè)平臺(tái)化
由于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有技術(shù)壁壘高、 投資周期長(zhǎng)等特性，半導(dǎo)體設(shè)備廠商往 往會(huì)采用并購(gòu)手段來進(jìn)行產(chǎn)品線豐富與 市場(chǎng)擴(kuò)張。
1996年至2020年，全球前10大半導(dǎo)體 設(shè)備廠商合計(jì)發(fā)起92次并購(gòu)，其中并購(gòu) 次數(shù)最多的是全球市占率約8%的科磊半 導(dǎo)體，共發(fā)起并購(gòu)28次。市占率約23% 的全球龍頭應(yīng)用材料則發(fā)起并購(gòu)21次。
景氣度：營(yíng)收規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大
擴(kuò)產(chǎn)高需求拉動(dòng)下，龍頭設(shè)備廠商營(yíng)收規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。ASML 22Q1營(yíng)收負(fù)增長(zhǎng)主要是公司 采取了快速出貨模式，即為使客戶盡快開出產(chǎn)能，取消廠內(nèi)測(cè)試環(huán)節(jié)，直接運(yùn)設(shè)備到客戶端 進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)收，然后確認(rèn)收入，導(dǎo)致部分訂單延遲到22Q2確認(rèn)收入。
需求：供不應(yīng)求向上游蔓延，零部件交期拉長(zhǎng)
設(shè)備高需求，疊加疫情等因素，半導(dǎo)體行業(yè)供不應(yīng)求進(jìn)一步向上游零部件蔓延。疫情前，零部件平均交 期約為3個(gè)月，而現(xiàn)階段，根據(jù)Nikkei數(shù)據(jù)，閥門、泵類交期尤為長(zhǎng)，已達(dá)12-15個(gè)月，石英件、EFEM 等的交期也接近10個(gè)月，稍短一點(diǎn)的O-ring交期在5個(gè)月左右，交期都大幅拉長(zhǎng)。（報(bào)告來源：未來智庫(kù)）
4 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備機(jī)遇
國(guó)產(chǎn)生態(tài)：產(chǎn)品平臺(tái)化+泛半導(dǎo)體全覆蓋
半導(dǎo)體設(shè)備的兩大必然趨勢(shì)：1、產(chǎn)品的平臺(tái)化：前道工藝設(shè)備全覆蓋（除光刻、量測(cè)設(shè)備 外）。2、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域全覆蓋：泛半導(dǎo)體技術(shù)的同源性導(dǎo)致了產(chǎn)品矩陣必須要擴(kuò)充到LCD 、LED、第三代半導(dǎo)體等多重領(lǐng)域。
拓荊科技：PECVD+SACVD+ALD
拓荊科技成立于2010年，主營(yíng)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，PECVD、ALD、SACVD三個(gè)產(chǎn)品系列已廣泛應(yīng)用于 國(guó)內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開 10nm 及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試；且公司是目 前國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用PECVD、SACVD設(shè)備的廠商。
屹唐半導(dǎo)體：覆蓋刻蝕、去膠、熱處理設(shè)備
屹唐半導(dǎo)體自主研發(fā)并制造集成電路生產(chǎn)所需的設(shè)備，主要包含以下產(chǎn)品：干法去膠設(shè)備、 干法刻蝕設(shè)備、高選擇比刻蝕和原子層級(jí)表面處理設(shè)備、快速熱處理和毫秒級(jí)退火設(shè)備。
營(yíng)收：2021年行業(yè)增速56%，2022年1-10進(jìn)一步放量
2021年，主要國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計(jì)銷售額約240億元，實(shí)現(xiàn)同比56%的高速增長(zhǎng)。
其中，北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海等在原有成熟設(shè)備基礎(chǔ)上進(jìn)一步放量；萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下 凱世通實(shí)現(xiàn)離子注入機(jī)0-1突破；芯源微多款前道涂膠顯影設(shè)備在客戶端進(jìn)展順利。
2022年，下游擴(kuò)產(chǎn)及國(guó)產(chǎn)化持續(xù)帶動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)1-10放量。
盈利：盈利能力顯著提升
業(yè)績(jī)方面來看，北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、芯源微的扣非后歸 母凈利潤(rùn)增速均顯著高于收入增速，得益于規(guī)模化放量和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，前道半導(dǎo)體設(shè)備公 司盈利能力有明顯提升。
報(bào)告節(jié)選：
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